Transistor

==== Sperrschicht-Feldeffekttransistor ====
Bei Sperrschicht-FETs (engl. ''junction FET'', JFET) wird die elektrisch isolierende Schicht zum ''Gate'' durch eine in Sperrrichtung betriebene Diode und deren unterschiedlich große Raumladungszone gebildet. Sperrschicht-FETs sind immer selbstleitende Transistoren: Ohne Spannung am ''Gate'' sind sie zwischen ''Source'' und ''Drain'' leitend. Durch das Anlegen einer ''Gate''-Spannung geeigneter Polarität wird die Leitfähigkeit zwischen ''Source'' und ''Drain'' reduziert.
Auch JFETs gibt es in zwei Arten: n-Kanal und p-Kanal. Im Schaltsymbol wird bei einem n-Kanal der Pfeil zu dem Transistor gezeichnet und auf dem Gate-Anschluss eingezeichnet, wie in nebenstehender Abbildung dargestellt. Beim p-Kanal-Typ ist die Pfeilrichtung umgekehrt. Sperrschicht-FETs finden wegen der etwas komplizierteren Ansteuerung nur in speziellen Anwendungen, wie beispielsweise Mikrofonverstärkern, Anwendung.